トリメチルシラン (3MS, SiH (CH3)3)

半導体の金属ライン間の層間平坦化絶縁膜(SiO2)の形成およびギャップフィル工程のためのデポジションガスです。

SPECIFICATION

Unit : ppmv
SPECIFICATION (표)입니다. 이 표는 SiH3Cl, N2, SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, HCl로 구성되어 있습니다.
3MS, SiH(CH3)3 CO2 CO N2 O2+Ar Total
Chlorides		 THC H2O
99.999% (5N)
[Excluded H2, CH4, Metal]		 0.5 0.5 2.0 0.5 1.0 1.0 0.5
SPECIFICATION (표)입니다. 이 표는 SiH3Cl, SPECIFICATIO로 구성되어 있습니다.
3MS, SiH(CH3)3 99.999% (5N)
[Excluded H2,
CH4, Metal]
CO2 0.5
CO 0.5
N2 2.0
O2+Ar 0.5
Total Chlorides 1.0
THC 1.0
H2O 0.5

CYLINDERS INFORMATION

CYLINDERS INFORMATION (표)입니다. 이 표는 TYPE, MATERIAL, FILLING WEIGHT, VALVE CONNECTION TYPE로 구성되어 있습니다.
TYPE MATERIAL FILLING WEIGHT VALVE CONNECTION TYPE
47L Cr-Mo Steel 16 kg CGA/DISS632 etc.
CYLINDERS INFORMATION (표)입니다. 이 표는 47L, SPECIFICATIO로 구성되어 있습니다.
TYPE 47L
MATERIAL Cr-Mo Steel
FILLING WEIGHT 16 kg
VALVE CONNECTION TYPE CGA/DISS632 etc.